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2SJ652
--10
VGS -- Qg
3
ASO
1m
10
10 ms
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e a
ion
0 μ
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--8
--7
--6
--5
--4
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
IDP= --112A (PW ≤ 10 μ s)
ID= --28A
Operation in this area
DC
op
r t
s
s
10
10
s
μ s
--3
--2
--1
--1.0
7
5
3
2
is limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single pulse
--0.1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
--0.1
2 3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT06559
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT16830
35
2.0
30
1.5
1.0
25
20
15
10
0.5
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT06545
Case Temperature, Tc -- ° C
IT06544
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